SDR1006-472KL, индуктивность 4700 мкГн SMD

SDR1006-681KL, индуктивность 680 мкГн SMD

SDR1006-820KL, индуктивность 82 мкГн SMD

SDR1105-201KL, индуктивность 200мкГн SMD

SDR1307-151KL, индуктивность 150мкГн SMD

SDR1307-1R5ML, индуктивность 1.5 мкГн SMD

SDR1307-470KL, индуктивность 47 мкГн SMD

SDR1307-4R7ML индукт. 4.7 мкГн SMD

SDR1806-471KL, индуктивность 470 мкГн SMD

SDR2207-101KL, индуктивность 100 мкГн SMD

SQC322520T-100K-N, чип-индуктивность 10мкГн (10%) 1210 (LQH32CN100K)

SQC453226T-100K-N, чип-индуктивность+10мкГн (10%) 1812 (LQH43CN100K)

SQC575047T-100K-N, чип-индуктивность+10мкГн (10%) 2220 (LQH55DN100K)

SQV322520T-101K-N, чип-индуктивность+100мкГн (10%) 1210 (LQH32MN101J)

SQV453226T-100K-N, чип-индуктивность+10мкГн (10%) 1812 (LQH43MN100K)

SQV453226T-101K-N, чип-индуктивность 100мкГн (10%) 1812 (LQH43MN101K)

SQV453226T-330K-N, чип-индуктивность+33мкГн (10%) 1812 (LQH43MN330K)

SQV453226T-470K-N, чип-индуктивность+47мкГн (10%) 1812 (LQH43MN470K)

SQV453226T-471K-N, чип-индуктивность+470мкГн (10%) 1812 (LQH43MN471K)

SQV453226T-4R7K-N, чип-индуктивность+4.7мкГн (10%) 1812 (LQH43MN4R7K)

SRR0603-100ML, индуктивность экр. 10мкГн SMD